Infineon MOSFET, タイプN, タイプPチャンネル, 分離式, 30 V, 1.5 A, 280 mΩ, 2.4 nC, 6ピン, パッケージ:TSOP-6

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梱包形態
RS品番:
110-7129
Distrelec 品番:
304-36-975
メーカー型番:
BSL316CH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

OptiMOS™

パッケージ型式

TSOP-6

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

280mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.86V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.4nC

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

最大許容損失Pd

500mW

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

分離式

規格 / 承認

No

幅

1.6mm

長さ

2.9mm

高さ

1mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

インフィニオン OptiMOS™シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 30V、最大連続ドレイン電流 1.5A - BSL316CH6327XTSA1


このMOSFETは自動車および産業用途の低電圧用途向けのコンパクトな表面実装スイッチングを実現します。エンハンスメントモード動作向けに設計された絶縁デュアルチャンネルトランジスタで、6ピンTSOPパッケージでNチャンネルとPチャンネルの両方の抵抗体を備えています。このデバイスは、高速スイッチングに適した標準的なゲート電荷動作をサポートし、過酷な環境で必要とされる幅広い温度範囲で動作します。

特長:


• 30Vのドレイン電圧により、低電圧システムのスイッチングが可能
• 280mΩのドレイン-ソース間抵抗により、導通損失を低減
• 2.4nC標準ゲート電荷により効率的な ゲートドライブを実現
• 中電流負荷に対する1.5Aの連続ドレイン電流
• 500mWの許容電力により、コンパクトなレイアウトで過熱を防止
• AEC Q101認定により、自動車用途への適合性を保証

用途


• 自動車用電子機器におけるDCロードスイッチに最適
• 補助プッシュプルドライバ段階に使用
• 制御ボードにおけるSMD電源管理に最適
• バッテリーの保護や負荷の断路に使用可能
• 温度に敏感な車載用モジュールに最適

いくつのピン数とパッケージタイプを使用しますか?


このコンポーネントは、コンパクトアセンブリ用に最適化された6ピンTSOP 6表面実装パッケージに収められています。

温度変化に応じてどのような性能を発揮しますか?


定格動作温度は-55°C~150°Cで、過酷な環境条件でも機能性を維持します。

このデバイスは、シングルエレメントですか、マルチエレメントですか?


このダイは2つの絶縁抵抗体を備え、1つのチップでNチャンネルとPチャンネルの両方の構成を実現します。

ゲート電圧について、どのような制限を守る必要がありますか?


ゲート-ソース間電圧は20Vを超えてはならないため、ゲート絶縁体の損傷を防止します。

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