Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 1.8 A, 270 mΩ, 9.5 nC, 4ピン, パッケージ:SOT-223

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梱包形態
RS品番:
110-7754
Distrelec 品番:
304-36-977
メーカー型番:
BSP372NH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

270mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.5nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

1.8W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.6mm

規格 / 承認

No

3.5mm

長さ

6.5mm

自動車規格

AEC-Q101

インフィニオン OptiMOS シリーズ MOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 100V、最大許容損失 1.8W - BSP372NH6327XTSA1


このMOSFETはコンパクトで高電圧のNチャンネル制御が必要な用途向けに設計された表面実装スイッチングトランジスタです。過酷な環境に適した広い温度範囲で動作し、適度な連続電流と効率的なスイッチング特性を必要とする用途向けに設計されています。

特長:


• 100Vドレイン-ソース機能により高電圧回路をサポート
• 270mΩの低RDS(on)により、導通損失を低減
• 1.8Aの連続ドレイン電流により安定した負荷処理を実現
• 9.5nCの標準ゲート電荷により、高速ドライブ応答を実現
• 1.8Wの消費電力により、SOT‑223での熱ストレスを管理
• 20Vの最大ゲートドライブにより、柔軟なゲートドライブ設計が可能

用途


• 堅牢な部品を必要とする自動車用電子サブシステムに最適
• コンパクトな電源モジュールに搭載されるDC-DCコンバータに最適
• 高電圧スイッチングが必要なモータードライバに使用
• バッテリー管理および電荷回路に使用可能
• 産業用制御盤における汎用スイッチングに使用

はんだ付けや熱伝導が容易なパッケージは何ですか?


このデバイスはSOT‑223表面実装パッケージで提供され、コンパクトなフットプリントと放熱用の大型タブのバランスをとります。

過酷な周囲条件にどのように対応しますか?


-55°C~150°Cの範囲で動作するよう規定されており、低温での起動や高温での動作といったシナリオに対応します。

設計時に守る必要があるゲート電圧の制限値はどのくらいですか?


ゲート-ソース間電圧は、安全な動作範囲内に保つために±20Vを超えてはなりません。

どのような種類のチャンネルとモードを使用しますか?


標準的なスイッチングおよび制御作業向けに設計されたNチャンネルエンハンスメントモードトポロジを採用しています。

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