STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 111-6459P
- メーカー型番:
- STB18N60DM2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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個 | 単価 |
|---|---|
| 50 - 470 | ￥423.60 |
| 475 - 595 | ￥366.80 |
| 600 - 795 | ￥308.60 |
| 800 + | ￥252.80 |
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- RS品番:
- 111-6459P
- メーカー型番:
- STB18N60DM2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | MDmesh DM2 | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 290mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 90W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 20nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 4.6mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 9.35mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 12A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ MDmesh DM2 | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 290mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 90W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 4.6mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 9.35mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
NチャンネルMDmesh DM2シリーズ、STMicroelectronics
MDmesh DM2 MOSFETは、RDS(on)が低く、ダイオード逆回復時間が短くなったため効率が高くなっています。このシリーズは、フルブリッジ位相シフトZVSトポロジに合わせて最適化されています。
優れたdV/dt機能でシステムの信頼性を向上
AEC-Q101認定