STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 200 A, 表面実装, 6 + Tab ピン, STH410N4F7-6AG

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

200 A

最大ドレイン-ソース間電圧

40 V

シリーズ

STripFET F7

パッケージタイプ

H2PAK

実装タイプ

表面実装

ピン数

6 + Tab

最大ドレイン-ソース間抵抗

1.1 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4.5V

最低ゲートしきい値電圧

2.5V

最大パワー消費

365 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

トランジスタ素材

Si

幅

10.4mm

動作温度 Max

+175 °C

1チップ当たりのエレメント数

1

標準ゲートチャージ @ Vgs

141 nC @ 10 V

長さ

8.9mm

高さ

4.8mm

動作温度 Min

-55 °C

順方向ダイオード電圧

1.3V