STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 120 A 表面実装 パッケージH2PAK 3 ピン
- RS品番:
- 876-5660
- メーカー型番:
- STH175N4F6-2AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | ￥224.80 | ￥1,124.00 |
| 25 - 120 | ￥178.40 | ￥892.00 |
| 125 - 245 | ￥143.20 | ￥716.00 |
| 250 - 995 | ￥123.80 | ￥619.00 |
| 1000 + | ￥118.80 | ￥594.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 876-5660
- メーカー型番:
- STH175N4F6-2AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
NチャンネルSTripFET™ F6、STMicroelectronics
広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 120 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
| パッケージタイプ | H2PAK |
| シリーズ | STripFET F6 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 2.4 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
| 最大パワー消費 | 150 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 長さ | 10.4mm |
| 幅 | 9.17mm |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| トランジスタ素材 | Si |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.3V |
| 高さ | 4.8mm |
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