STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 120 A, 表面実装, 3 ピン, STH175N4F6-2AG

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

120 A

最大ドレイン-ソース間電圧

40 V

パッケージタイプ

H2PAK

シリーズ

STripFET F6

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

2.4 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4.5V

最低ゲートしきい値電圧

3V

最大パワー消費

150 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

1チップ当たりのエレメント数

1

動作温度 Max

+175 °C

標準ゲートチャージ @ Vgs

130 nC @ 10 V

長さ

10.4mm

トランジスタ素材

Si

幅

9.17mm

高さ

4.8mm

順方向ダイオード電圧

1.3V

動作温度 Min

-55 °C