2 Vishay MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 5.3 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4559ADY-T1-GE3 パッケージSOIC

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梱包形態
RS品番:
710-3345
メーカー型番:
SI4559ADY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

72mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

3.4W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

分離式

高さ

1.5mm

長さ

5mm

幅

4 mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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