型番

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 5.3 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4559ADY-T1-GE3 パッケージSOIC

RS品番:: 710-3345
メーカー型番:: SI4559ADY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 5.3 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4559ADY-T1-GE3 パッケージSOIC

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125 - 1195	￥314.80	￥1,574
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1600 - 1995	￥224.60	￥1,123
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RS品番:: 710-3345
メーカー型番:: SI4559ADY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	5.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	シリーズ	TrenchFET
	パッケージ型式	SOIC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	72mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	13nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	最大許容損失Pd	3.4W
	動作温度 Min	-55°C
	トランジスタ構成	分離式
	動作温度 Max	150°C
	高さ	1.5mm
	幅	4 mm
	規格 / 承認	No
	長さ	5mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id 5.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	シリーズ TrenchFET
	パッケージ型式 SOIC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 72mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	最大許容損失Pd 3.4W
	動作温度 Min -55°C
	トランジスタ構成分離式
	動作温度 Max 150°C
	高さ 1.5mm
	幅 4 mm
	規格 / 承認 No
	長さ 5mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 5.3 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4559ADY-T1-GE3 パッケージSOIC

￥3,000円を超える注文については、送料無料

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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