Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 3.4 A, 表面 パッケージPQFN
- RS品番:
- 257-5572
- メーカー型番:
- IRLHS6276TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
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￥119,984.00
(税抜)
￥131,984.00
(税込)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4000 - 16000 | ￥29.996 | ￥119,984 |
| 20000 - 36000 | ￥29.555 | ￥118,220 |
| 40000 - 96000 | ￥29.113 | ￥116,452 |
| 100000 - 196000 | ￥28.672 | ￥114,688 |
| 200000 + | ￥28.231 | ￥112,924 |
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- RS品番:
- 257-5572
- メーカー型番:
- IRLHS6276TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 65mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±12 V | |
| 最大許容損失Pd | 9.6W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 2 mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 65mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±12 V | ||
最大許容損失Pd 9.6W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.1nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 2 mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon strongIRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と耐久性を必要とする低周波数アプリケーションに最適です。この包括的なポートフォリオは、 DC モータ、バッテリ管理システム、インバータ、 DC-DC コンバータなど、幅広いアプリケーションに対応します。
ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化
JEDEC規格に準拠した製品認定
業界標準のスルーホール電源パッケージ高定格電流