Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO

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RS品番:
133-6576
メーカー型番:
BSC009NE2LS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

パッケージ型式

SuperSO

シリーズ

OptiMOS 5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.25mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

43nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

74W

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

規格 / 承認

No

幅

6.35 mm

長さ

5.49mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY

Infineon OptiMOS™ 5シリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流223A、最大電力損失74W - BSC009NE2LS5ATMA1


この高性能MOSFETは、電力管理アプリケーション用に設計されており、卓越した効率と信頼性を提供します。その最適化された特性により、様々なオートメーション、エレクトロニクス、電気アプリケーションに適している。Nチャンネル構成と高度な設計により、低オン抵抗を維持しながら大電流負荷を効果的に管理できるため、最新の回路に最適です。

特徴と利点


• 最大連続ドレイン電流223Aの大電流アプリケーションに対応

• 非常に低いオン抵抗が動作中のエネルギー効率を高める

• 最大25Vのドレイン・ソース間電圧に耐えられる

• コンパクトなSuperSO8パッケージを採用し、効率的な表面実装を実現

• 効果的な放熱性能を実現

• 100%アバランチテスト済み

用途


• 効率的な電圧レギュレーションのため、高性能降圧コンバーターに使用

• 家電製品の電源管理に最適

• 自動車への導入 コンパクトな設計が重要

• 効果的な電力変換のために再生可能エネルギーシステムで利用される

設置に最適な使用温度範囲は？


デバイスは-55℃から+150℃の間で効果的に動作し、様々な環境条件下での汎用性を可能にする。

同期整流のアプリケーションに使用できますか？


はい、RDS(on)が低いため、導通損失が最小限に抑えられ、同期整流に適しています。

設置の際、どのような取り扱い上の注意が必要ですか？


MOSFETへの損傷を防ぐため、標準的な静電気放電（ESD）予防策を順守すること。

ゲートチャージがパフォーマンスに与える影響は？


10Vで43nCの典型的なゲート電荷は、素早いスイッチング速度を維持し、全体的な効率を高めるのに役立つ。

この部品はRoHSに対応していますか？


鉛フリーの鉛メッキを採用し、RoHS指令に準拠している。

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