Vishay MOSFET, Nチャンネル, 60 A, 表面実装, 8 ピン, SIR158DP-T1-RE3

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

60 A

最大ドレイン-ソース間電圧

30 V

パッケージタイプ

PowerPAK SO-8

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

2.3 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

2.5V

最低ゲートしきい値電圧

1.2V

最大パワー消費

83 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

動作温度 Max

+150 °C

1チップ当たりのエレメント数

1

幅

5.26mm

長さ

6.25mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

87 nC @ 10 V

高さ

1.12mm

動作温度 Min

-55 °C

順方向ダイオード電圧

1.1V