Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 24.7 A, 表面 パッケージPowerPAK SO-8
- RS品番:
- 256-7420
- メーカー型番:
- SIR120DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 6000 - 27000 | ¥135.975 | ¥407,925 |
| 30000 - 42000 | ¥133.945 | ¥401,835 |
| 45000 - 57000 | ¥131.916 | ¥395,748 |
| 60000 + | ¥129.886 | ¥389,658 |
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- RS品番:
- 256-7420
- メーカー型番:
- SIR120DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 24.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0095Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 24.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 PowerPAK SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0095Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay Semiconductor Nチャンネル80 V (D-S) mosfetは、非常に低いRDS x Qgメリット数値(FOM)で、同期整流、一次サイドスイッチ、DC、DCコンバータ、電源、モータドライブ制御、バッテリ、負荷スイッチなどの用途があります。
TrenchFET gen IVパワーモスフェット
非常に低いRDS x Qgメリット数値(FOM)
最低のRDS x Qoss FOMに対応するチューニング
100 % Rg及びUISテスト済み
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