Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 3.2 A, 90 mΩ, 3.7 nC, 4ピン, パッケージ：SOT-89

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RS品番:
145-8766
メーカー型番:
BSS606NH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

3.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-89

シリーズ

OptiMOS 3

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

90mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.7nC

最大許容損失Pd

1W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

幅

2.5mm

長さ

4.5mm

規格 / 承認

No

高さ

1.5mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
MY

Infineon OptiMOS 3シリーズMOSFET、最大ドレイン・ソース間電圧60 V、最大連続ドレイン電流3.2 A - BSS606NH6327XTSA1


このNチャンネルMOSFETは、コンパクトな電子システムのDC電源を制御および切り替えるために設計された表面実装型半導体です。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、中程度の連続電流容量で中電圧スイッチングを必要とする用途向けに設計されています。このデバイスは、基板実装型パワーステージ向けに設計された小型SOT-89パッケージで提供されます。

特長：


• ドレイン・ソース間耐電圧60Vにより、安全な中電圧スイッチングを実現
• 90 mΩの低いRDS(on)により、電力経路での導通損失を低減
• 3.2 Aの連続ドレイン電流により、中程度の負荷駆動に対応
• 1.1Vの順方向電圧により、ダイオード伝導における電圧降下を最小限に抑制
• 3.7 nCの標準ゲート電荷により、効率的なスイッチング制御を実現
• 20 Vのゲート耐圧により、柔軟なゲート駆動電圧に対応

用途


• 自動車用補助電源回路に最適
• DC/DCコンバータスイッチステージに最適
• モータ制御用ゲートドライバインターフェースに使用
• テレマティックスモジュールの負荷スイッチングに使用可能
• 組み込みシステムの配電に最適

どのようなパッケージ寸法とフォームファクタが採用されていますか？


このコンポーネントは、4.5 x 2.5 x 1.5 mmのコンパクトな表面実装型SOT-89パッケージで提供され、高密度な基板レイアウトに適しています。

極端な温度環境にはどのように対応しますか？


定格動作温度は-55°C～150°Cで、高温・低温環境での使用が可能です。

設計時には、どのようなピン構成と実装方式を想定する必要がありますか？


この部品は4本のピンを備え、表面実装用に設計されているため、自動組立工程での実装が容易になります。

どのようなチャンネル導通モードを採用しており、それは回路動作にどのような影響を与えますか？


Nチャンネルエンハンスメント型を採用しており、一般的なローサイドスイッチングで導通させるには、正のゲート駆動電圧が必要です。

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