Infineon MOSFET, Nチャンネル, 20 V, 1.5 A, 250 mΩ, 0.8 nC, 3ピン, パッケージ：SC-70
- RS品番:
- 165-5863
- メーカー型番:
- BSS214NWH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 165-5863
- メーカー型番:
- BSS214NWH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | SC-70 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 250mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -12V, +12V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| 最大許容損失Pd | 500mW | |
| 順方向電圧 Vf | 800mV | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.25mm | |
| 高さ | 800μm | |
| 長さ | 2mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 SC-70 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 250mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -12V, +12V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.8nC | ||
最大許容損失Pd 500mW | ||
順方向電圧 Vf 800mV | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.25mm | ||
高さ 800μm | ||
長さ 2mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
インフィニオンOptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 20V、最大連続ドレイン電流 1.5A - BSS214NWH6327XTSA1
このMOSFETは、スペースに制約のある電子アセンブリにおける表面実装電力スイッチングおよび管理用に設計されたコンパクトNチャンネルエンハンスメントデバイスです。過酷な温度条件に適した幅広い周囲範囲で動作し、効率的な伝導と高速ゲート応答が必要な低電圧、低電流用途向けに設計されています。
特長：
• 20Vドレイン-ソース定格により、低電圧電源設計を実現
• 250mΩのRds(on)により、スイッチング経路における導通損失を低減
• 標準ゲート電荷0.8nCにより、高速なゲート遷移をサポート
• 連続ドレイン電流1.5Aにより中程度の負荷電流を処理
• 500mWの最大消費により、安全な熱ヘッドルームを実現
• 12Vゲートしきい値によりゲートドライブの柔軟性を最大化
• 250mΩのRds(on)により、スイッチング経路における導通損失を低減
• 標準ゲート電荷0.8nCにより、高速なゲート遷移をサポート
• 連続ドレイン電流1.5Aにより中程度の負荷電流を処理
• 500mWの最大消費により、安全な熱ヘッドルームを実現
• 12Vゲートしきい値によりゲートドライブの柔軟性を最大化
用途
• 自動車用センサーの電源スイッチングに最適
• バッテリー管理と負荷遮断に最適
• 分散型パワーモジュールの制御ロジックに使用
• 小型DC-DCコンバーター段階に使用可能
• ポータブルデバイスの電源経路スイッチングに最適
• バッテリー管理と負荷遮断に最適
• 分散型パワーモジュールの制御ロジックに使用
• 小型DC-DCコンバーター段階に使用可能
• ポータブルデバイスの電源経路スイッチングに最適
過酷な環境では、どのような温度範囲に耐えられますか？
-55°C～150°Cで動作するように設計され、高温自動車用途での使用が可能です。
高密度基板レイアウトに対応し、どの程度コンパクトですか？
このコンポーネントは、2mm x 1.25mmの小型SC-70表面実装パッケージで提供され、0.8mmのロープロファイルです。
設計者は、ゲートドライブに関してどのような制限を遵守すべきですか？
ゲート絶縁層への過大な負荷を避けるため、ゲート-ソース間電圧は12Vを超えてはなりません。
このデバイスは連続的な負荷下でどのように動作しますか？
1.5Aの安定したドレイン電流をサポートし、熱制限内において最大500mWの消費電力を発揮します。
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