Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 12 V, 3.2 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージDFN, PMXB40UNEZ

RS品番:: 153-1958
メーカー型番:: PMXB40UNEZ
メーカー/ブランド名:: Nexperia

Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 12 V, 3.2 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージDFN, PMXB40UNEZ

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RS品番:: 153-1958
メーカー型番:: PMXB40UNEZ
メーカー/ブランド名:: Nexperia

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Nexperia
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	3.2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	12V
	パッケージ型式	DFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	121mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	8 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	66nC
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	8.33W
	動作温度 Max	150°C
	高さ	0.36mm
	長さ	1.15mm
	幅	1.05 mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Nexperia
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 3.2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 12V
	パッケージ型式 DFN
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 121mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 8 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 66nC
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 8.33W
	動作温度 Max 150°C
	高さ 0.36mm
	長さ 1.15mm
	幅 1.05 mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

12 V、NチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のNチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、リードレス超小型DFN1010D-3 (SOT1215)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。

トレンチMOSFET技術

リードレス小型及び超薄型SMDプラスチックパッケージ: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

露出したドレインパッドにより、優れた熱伝導

静電気放電(ESD)保護: 1 kV

超低ドレイン-ソース間オン状態抵抗: RDSon = 34 mΩ

0.65 Vという超低しきい値電圧で携帯用途向け

携帯型デバイスのローサイド負荷スイッチ及び充電スイッチ

バッテリ駆動携帯機器の電源管理

LEDドライバ

DC-DCコンバータ