Nexperia MOSFET, Nチャンネル, シングル, 20 V, 3.2 A, 120 mΩ, 4ピン, パッケージ：DFN
- RS品番:
- 153-1890
- メーカー型番:
- PMXB43UNEZ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 153-1890
- メーカー型番:
- PMXB43UNEZ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 120mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8V | |
| 最大許容損失Pd | 8.33W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 幅 | 1.05mm | |
| 高さ | 0.36mm | |
| 長さ | 1.15mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 120mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8V | ||
最大許容損失Pd 8.33W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
幅 1.05mm | ||
高さ 0.36mm | ||
長さ 1.15mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
NチャンネルMOSFET ≤ 20 V、ポータブルデザインに最適なスイッチングソリューション、最大20 Vのシングル及びデュアルNチャンネルMOSFETの幅広い製品から選択できます。信頼性の高いTrenchMOS及びパッケージテクノロジーにより、優れた信頼性を発揮します。使いやすい低電圧MOSFETは、低ドライブ電圧のポータブルアプリケーションの要件を満たすように特別に設計されています。
20 V、NチャンネルトレンチMOSFET、Nチャンネル強化モードのフィールド効果トランジスタ(FET)は、Trench MOSFET技術を採用したリードレス超小型DFN1010D-3 (SOT1215)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージに収められています。
Trench MOSFETテクノロジー
鉛レス超小型薄型SMDプラスチックパッケージ: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm
露出したドレインパッドにより、優れた熱伝導性を実現
非常に低いドレインソースオンステート抵抗RDSon = 42 mΩ
1 kV ESD保護
ポータブルデバイス用のローサイド負荷スイッチ及び充電スイッチ
バッテリ駆動ポータブルの電源管理
LEDドライバー
DC-DCコンバータ
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