Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 2.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN, PMPB215ENEAX

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梱包形態
RS品番:
151-3200
メーカー型番:
PMPB215ENEAX
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

2.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

445mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

15.6W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.8nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

2.1 mm

長さ

2.1mm

高さ

0.65mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

80 V、シングルNチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のNチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、リードレスミディアムパワーDFN2020MD-6 (SOT1220)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。

トレンチMOSFET技術

小型リードレス超薄型SMDプラスチックパッケージ: 2 x 2 x 0.65 mm

露出したドレインパッドにより、優れた熱伝導

サイドパッドはスズめっき済みで100 %はんだ付け可能で、光学式はんだ検査対応

AEC-Q101認定

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