Nexperia MOSFET, タイプPチャンネル -30 V, -2.4 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージDFN, PMXB120EPEZ

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梱包形態
RS品番:
151-3227
メーカー型番:
PMXB120EPEZ
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

-2.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-30V

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

187mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

8.33W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.2nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

1.15mm

幅

1.05 mm

高さ

0.36mm

自動車規格

なし

PチャネルMOSFET: Nチャネルがとにかく適さない設計にぴったりフィットします。Nexperiaの各種MOSFET製品には、Nexperiaの業界をリードするトレンチ技術が採用されたPチャネルデバイスファミリが多数揃っています。定格12 → 70 V、ローパワ又はミディアムパワーパッケージ入りで、高効率と高信頼性を兼ね備えています。

30 V、PチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のPチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、リードレス超小型DFN1010D-3 (SOT1215)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。

トレンチMOSFET技術

リードレス超小型及び超薄型SMDプラスチックパッケージ: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

露出したドレインパッドにより、優れた熱伝導

静電気放電(ESD)保護: 1 kV HBM

ドレインソースオン状態抵抗RDSon = 350 mΩ

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