Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 3.2 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージDFN, PMXB56ENZ
- RS品番:
- 153-1892
- メーカー型番:
- PMXB56ENZ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
1 袋(1袋25個入り) 小計：*
￥1,287.00
(税抜)
￥1,415.75
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2026年7月06日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 25 + | ￥51.48 | ￥1,287 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 153-1892
- メーカー型番:
- PMXB56ENZ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 87mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 8.33W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 1.05 mm | |
| 高さ | 0.36mm | |
| 長さ | 1.15mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 87mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 8.33W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.6nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 1.05 mm | ||
高さ 0.36mm | ||
長さ 1.15mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
25 → 30 VのNチャネルMOSFET: 先進のテクノロジノウハウによる堅実な性能を誇る、25 → 30 Vの使いやすいMOSFETです。スペースと電源が重視される用途に最適で、優れたスイッチング性能及びクラス最高の安全動作領域(SOA)が実現されています。別の定格電圧が必要ですか? 大規模なポートフォリオから別のオプションをご確認ください。
30 V、NチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のNチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、リードレス超小型DFN1010D-3 (SOT1215)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。
トレンチMOSFET技術
リードレス小型及び超薄型SMDプラスチックパッケージ: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm
露出したドレインパッドにより、優れた熱伝導
超低ドレイン-ソース間オン状態抵抗: RDSon = 49 mΩ
超高速スイッチング
携帯型デバイスのローサイド負荷スイッチ及び充電スイッチ
バッテリ駆動携帯機器の電源管理
LEDドライバ
DC-DCコンバータ