Nexperia MOSFET, タイプPチャンネル -12 V, -3.2 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージDFN, PMXB65UPEZ
- RS品番:
- 151-3145
- メーカー型番:
- PMXB65UPEZ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 151-3145
- メーカー型番:
- PMXB65UPEZ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -3.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -12V | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 880mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| 最大許容損失Pd | 8.33W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.36mm | |
| 長さ | 1.15mm | |
| 幅 | 1.05 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id -3.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -12V | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 880mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.7nC | ||
最大許容損失Pd 8.33W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.36mm | ||
長さ 1.15mm | ||
幅 1.05 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
PチャネルMOSFET: Nチャネルがとにかく適さない設計にぴったりフィットします。Nexperiaの各種MOSFET製品には、Nexperiaの業界をリードするトレンチ技術が採用されたPチャネルデバイスファミリが多数揃っています。定格12 → 70 V、ローパワ又はミディアムパワーパッケージ入りで、高効率と高信頼性を兼ね備えています。
12 V、PチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のPチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、リードレス超小型DFN1010D-3 (SOT1215)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。
トレンチMOSFET技術
リードレス超小型及び超薄型SMDプラスチックパッケージ: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm
露出したドレインパッドにより、優れた熱伝導
静電気放電(ESD)保護: 1.5 kV HBM
ドレインソースオン状態抵抗RDSon = 59 mΩ
携帯用途に適した超低ゲート-ソースしきい値電圧VGS(th) = -0.68 V