Vishay Nチャンネル MOSFET40 V 10 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
- RS品番:
- 165-2752
- メーカー型番:
- SI4840BDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
4460 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
単価： 購入単位は2500 個
￥91.314
(税抜)
￥100.445
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ￥91.314 | ￥228,285.00 |
| 5000 - 22500 | ￥88.588 | ￥221,470.00 |
| 25000 - 35000 | ￥83.864 | ￥209,660.00 |
| 37500 - 47500 | ￥81.501 | ￥203,752.50 |
| 50000 + | ￥79.139 | ￥197,847.50 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 165-2752
- メーカー型番:
- SI4840BDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 10 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
| パッケージタイプ | SOIC |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 9 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V |
| 最大パワー消費 | 1.56 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 幅 | 4mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 18.5 nC @ 5 V |
| 長さ | 5mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 1.55mm |
関連ページ
- Vishay Nチャンネル MOSFET40 V 10 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
- Vishay MOSFET
- Vishay Dual Nチャンネル MOSFET60 V 6 A 表面実装 パッケージPowerPAK 1212-8 8 ピン
- Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 9.6 A 表面実装 パッケージPowerPAK 1212-8 8 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET30 V 58 A 表面実装 パッケージPowerPAK SO-8 8 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET20 V 19.8 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン
- Vishay Pチャンネル MOSFET40 V 7.2 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン
- Vishay Siliconix Nチャンネル MOSFET30 V 60 A 表面実装 パッケージPowerPAK SO-8 8 ピン