2 Vishay MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 5.3 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI9945BDY-T1-GE3 パッケージSOIC
- RS品番:
- 787-8995
- Distrelec 品番:
- 304-02-278
- メーカー型番:
- SI9945BDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 787-8995
- Distrelec 品番:
- 304-02-278
- メーカー型番:
- SI9945BDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 72mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 3.1W | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 4mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 72mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 3.1W | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.5mm | ||
長さ 5mm | ||
幅 4mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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