Vishay MOSFET, Nチャンネル, 分離式, 60 V, 5.3 A, 72 mΩ, 8ピン, パッケージ：SOIC
- RS品番:
- 919-4189
- メーカー型番:
- SI9945BDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
在庫が表示されていない場合があります。ページの再読み込みをお試しください。
- RS品番:
- 919-4189
- メーカー型番:
- SI9945BDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 72mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V, -20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 4mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 72mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V, -20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.5mm | ||
長さ 5mm | ||
幅 4mm | ||
- COO（原産国）:
- TW
関連ページ
- Vishay MOSFET 分離式 5.3 A 13 nC パッケージ：SOIC
- Vishay MOSFET タイプNチャンネル 60 V 72 mΩ 8ピン, パッケージ：SOIC
- onsemi MOSFET 分離式 3.5 A 8 nC パッケージ：SOIC
- Vishay MOSFET 分離式 8 A 32 nC パッケージ：SOIC
- Vishay パワーMOSFET 分離式 4 A 17 nC パッケージ：SOIC
- Vishay MOSFET 分離式 6.5 A 17 nC パッケージ：SOIC
- onsemi パワーMOSFET 分離式 3.5 A 12.9 nC パッケージ：SOIC
- Vishay MOSFET タイプNチャンネル 30 V 140 mΩ 8ピン, パッケージ：SOIC