Vishay MOSFET, Nチャンネル, 分離式, 60 V, 5.3 A, 72 mΩ, 8ピン, パッケージ：SOIC

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RS品番:
919-4189
メーカー型番:
SI9945BDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

トランジスタ構成

分離式

最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)

60 V

最大連続ドレイン電流(Id)

5.3 A

最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)

72 mΩ

ピン数

8

パッケージ型式

SOIC

チャンネルモード

エンハンスメント型

高さ

1.5 mm

長さ

5 mm

最大ゲートソース電圧(Vgs)

20 V, -20 V

動作温度 (Max)

150 °C

最大許容損失(Pd)

3.1 W

動作温度 (Min)

-55 °C

取付タイプ

表面

幅

4 mm

COO（原産国）:
TW

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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