分離式 Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 5.3 A 60 V, 表面 エンハンスメント型, 8-Pin, SI9945BDY-T1-GE3 パッケージSOIC
- RS品番:
- 919-4189
- メーカー型番:
- SI9945BDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
在庫が表示されていない場合があります。ページの再読み込みをお試しください。
- RS品番:
- 919-4189
- メーカー型番:
- SI9945BDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 72mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20, -20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 幅 | 4mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 72mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20, -20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
幅 4mm | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.5mm | ||
- COO（原産国）:
- TW
デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
関連ページ
- 2 Vishay MOSFET 分離式 5.3 A 8-Pin エンハンスメント型, SI9945BDY-T1-GE3 パッケージSOIC
- Vishay MOSFET 19 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSOIC, SI4840BDY-T1-GE3
- 2 Vishay MOSFET 分離式 6.5 A 8-Pin エンハンスメント型, SI4946BEY-T1-GE3 パッケージSOIC
- 2 Vishay MOSFET 分離式 タイプNチャンネル 表面 30 V SI4532CDY-T1-GE3 パッケージSOIC
- 2 Vishay パワーMOSFET 分離式 7.5 A 8-Pin エンハンスメント型, SI4214DDY-T1-GE3 パッケージSOIC
- 2 Vishay パワーMOSFET 分離式 6.5 A 8-Pin エンハンスメント型, SI4909DY-T1-GE3 パッケージSOIC
- 2 Vishay MOSFET 分離式 3.1 A 8-Pin エンハンスメント型, SI4948BEY-T1-GE3 パッケージSOIC
- 2 Vishay MOSFET 分離式 8 A 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC