Vishay MOSFET, Nチャンネル, 5.3 A, 表面実装, 8 ピン, SI9945BDY-T1-GE3

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RS品番:
919-4189
メーカー型番:
SI9945BDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

5.3 A

最大ドレイン-ソース間電圧

60 V

パッケージタイプ

SOIC

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

72 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

1V

最大パワー消費

3.1 W

トランジスタ構成

絶縁型

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

13 nC @ 10 V

動作温度 Max

+150 °C

幅

4mm

トランジスタ素材

Si

1チップ当たりのエレメント数

2

長さ

5mm

動作温度 Min

-55 °C

高さ

1.5mm

COO（原産国）:
TW

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デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


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