分離式 Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 5.3 A 60 V, 表面実装 エンハンスメント型, 8-Pin, SI9945BDY-T1-GE3 パッケージSOIC

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RS品番:
919-4189
メーカー型番:
SI9945BDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

5.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

72mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

-20/20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

分離式

長さ

5mm

幅

4 mm

高さ

1.5mm

COO（原産国）:
TW

デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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