Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 55 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 165-5599
- メーカー型番:
- IRL2910STRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 800 - 3200 | ￥186.921 | ￥149,537 |
| 4000 - 7200 | ￥183.171 | ￥146,537 |
| 8000 - 19200 | ￥173.403 | ￥138,722 |
| 20000 - 39200 | ￥168.514 | ￥134,811 |
| 40000 + | ￥163.641 | ￥130,913 |
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- RS品番:
- 165-5599
- メーカー型番:
- IRL2910STRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 55A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 40mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 140nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16 V | |
| 最大許容損失Pd | 200W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 幅 | 9.65 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 55A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 40mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 140nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16 V | ||
最大許容損失Pd 200W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.67mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 4.83mm | ||
幅 9.65 mm | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。