Infineon MOSFET, Nチャンネル, 240 V, 110 mA, 20 Ω, 2.1 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-23

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール3000個入り) 小計:*

¥68,283

(税抜)

¥75,111

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 9,000 は 2027年9月16日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000¥22.761¥68,283
15000 - 27000¥22.442¥67,326
30000 - 72000¥21.888¥65,664
75000 - 147000¥21.32¥63,960
150000 +¥20.764¥62,292

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-5867
メーカー型番:
BSS131H6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

110mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

240V

シリーズ

SIPMOS

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

360mW

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.1nC

順方向電圧 Vf

810mV

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

2.9mm

幅

1.3mm

高さ

1mm

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
CN

Infineon SIPMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 240V、最大連続ドレイン電流 110mA - BSS131H6327XTSA1


このMOSFETは、小型電子機器における表面実装電力スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルエンハンスメントモードトランジスタです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、適度な連続電流容量を備え、ドレイン-ソース間の伝導を制御する必要がある用途向けに設計されています。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 240V により、高電圧スイッチングに対応
• 110mAの連続ドレイン電流容量により、低電流負荷をサポート
• 20Vのゲート・ソース間電圧制限により、ゲートへの過大な電圧印加から保護
• 20Ωの最大RDS(on)により低電流での熱管理を簡素化
• 2.1nCの標準ゲート電荷により、駆動エネルギー要件を低減
• 360mWの許容電力により、小型フォームファクターの熱予算に適合

用途


• 自動車用センサーの電源スイッチングに最適
• バッテリー管理制御回路に最適
• 低電流モータドライバゲート段階に使用
• レベルシフトと保護機能に使用可能
• ハンドヘルド・ポータブル機器で使用

基板アセンブリにはどのパッケージと取付方式を使用しますか?


自動はんだ付けプロセスに対応するよう、表面実装用に構成されたSOT-23パッケージで提供されます。

動作時にどのような過酷な環境条件に耐えられますか?


このデバイスは-55°C~150°Cの温度範囲で動作し、幅広い熱出力に対応します。

スペースに制約のある設計に対応するデバイスはどの程度コンパクトですか?


パッケージフットプリントは長さ2.9mm、幅1.3mmで、コンポーネント高さは1.0mmで、スペースの狭いレイアウト用途向けです。

車両用途向けの自動車認証規格に適合していますか?


半導体ストレススクリーニングに関するAEC‑Q101車載規格に適合しています。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。