Vishay パワーMOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 3.8 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

MOSFET・モスフェット の一覧へ
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
RS品番:
165-6933
メーカー型番:
SI2367DS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

3.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

Si2367DS

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.066Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.7W

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

規格 / 承認

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

幅

1.4 mm

高さ

1.02mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ