Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 2.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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RS品番:
919-0266
メーカー型番:
SI2308BDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

2.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

Si2308BDS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.192Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

1.66W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.3nC

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

幅

1.4 mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21

高さ

1.02mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

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NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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