Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 19 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8
- RS品番:
- 165-2723
- メーカー型番:
- SIR462DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 30000 - 42000 | ￥59.557 | ￥178,671 |
| 45000 - 57000 | ￥57.696 | ￥173,088 |
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- RS品番:
- 165-2723
- メーカー型番:
- SIR462DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 19A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | SiR462DP | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大許容損失Pd | 4.8W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 19A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ SiR462DP | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC | ||
最大許容損失Pd 4.8W | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.04mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 4.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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