Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 19 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
165-2723
メーカー型番:
SIR462DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

19A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

SiR462DP

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20nC

最大許容損失Pd

4.8W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

4.9mm

高さ

1.04mm

幅

5.89 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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