インフィニオン MOSFET, Pチャンネル, 2.2 A, 表面実装, 8 ピン, IRF6216PBF
- RS品番:
- 165-7563
- メーカー型番:
- IRF6216PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 165-7563
- メーカー型番:
- IRF6216PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 2.2 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 150 V | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 240 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3V | |
| 最大パワー消費 | 2.5 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| 長さ | 5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| 幅 | 4mm | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 1.5mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ P | ||
最大連続ドレイン電流 2.2 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 150 V | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
シリーズ HEXFET | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 240 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 5V | ||
最低ゲートしきい値電圧 3V | ||
最大パワー消費 2.5 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
長さ 5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 33 nC @ 10 V | ||
幅 4mm | ||
トランジスタ素材 Si | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 1.5mm | ||
- COO（原産国）:
- US
PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。