インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 4.5 A, 表面実装, 8 ピン, IRF7452PBF
- RS品番:
- 543-1320
- メーカー型番:
- IRF7452PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- 543-1320
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- IRF7452PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 4.5 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 60 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5.5V | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3V | |
| 最大パワー消費 | 2.5 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V | |
| 幅 | 4mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 4.5 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 5.5V | ||
最低ゲートしきい値電圧 3V | ||
最大パワー消費 2.5 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V | ||
幅 4mm | ||
長さ 5mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 33 nC @ 10 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
トランジスタ素材 Si | ||
高さ 1.5mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
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