Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 2.7 A, 100 mΩ, 1 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23

RS品番:: 165-7763
メーカー型番:: IRLML2030TRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 2.7 A, 100 mΩ, 1 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23

取扱停止中

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RS品番:: 165-7763
メーカー型番:: IRLML2030TRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	2.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	HEXFET
	パッケージ型式	SOT-23
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	100mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1V
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	-20V, +20V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	1nC
	最大許容損失Pd	1.3W
	動作温度 Max	150°C
	幅	1.4mm
	長さ	3.04mm
	規格 / 承認	No
	高さ	1.02mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 2.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ HEXFET
	パッケージ型式 SOT-23
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 100mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1V
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 1nC
	最大許容損失Pd 1.3W
	動作温度 Max 150°C
	幅 1.4mm
	長さ 3.04mm
	規格 / 承認 No
	高さ 1.02mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: PH

インフィニオン HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 30V、最大ドレイン-ソース間抵抗 100mΩ - IRLML2030TRPBF

このMOSFETは、小型の表面実装アセンブリにおける低電力スイッチング用に設計されたコンパクトNチャンネルエンハンスメントデバイスです。適度な電流処理と30Vの遮断能力を必要とする用途向けに設計され、低温環境から高温環境まで幅広い環境範囲でスイッチング機能を実行します。

特長：

• 100mΩの低オン抵抗により、導通損失と発熱を低減
• 30Vドレイン-ソース定格により、中電圧スイッチングが可能
• 連続ドレイン電流2.7Aにより、負荷の持続的な動作が可能
• 1nCの低ゲート電荷により高速かつ効率的なスイッチングを実現
• 最大許容電力1.3Wにより、熱予算設定が可能
• ゲートソース耐電圧20Vによりドライバーに入力マージンを提供

用途

• バッテリー保護および負荷スイッチング回路に最適
• ポータブルデバイス電源管理段階に最適
• 小型SMD設計のDC-DCコンバーターに使用
• LEDドライバおよび小型モーター制御に使用可能
• 家電機器における信号レベルスイッチングに最適

どのような温度範囲で動作できますか？

-55°C～150°Cで動作し、過酷な環境条件でも使用可能です。

基板アセンブリ用にどのようにパッケージされていますか？

SOT-23表面実装パッケージで提供されており、基板上の設置スペースをコンパクトに抑えることができます。

このデバイスは、スイッチング設計においてどのような電気的役割を果たしますか？

低電圧スイッチトランジスタとして機能し、指定されたRDS(on)により伝導損失を制限しながら、オン/オフ制御を処理します。

レイアウト計画におけるコンポーネントフットプリントはどの程度小さいですか？

このデバイスの寸法は3.04 x 1.4 x 1.02mmで、SMDボード上でコンポーネントをしっかりと包装できます。