Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 5.8 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥44,412.00

(税抜)

￥48,852.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 54,000 は 2026年1月19日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000￥14.804￥44,412
15000 - 27000￥14.366￥43,098
30000 - 72000￥13.594￥40,782
75000 - 147000￥13.213￥39,639
150000 +￥12.832￥38,496

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-7765
メーカー型番:
IRFML8244TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

5.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

41mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.25W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

5.4nC

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

規格 / 承認

No

幅

1.4 mm

高さ

1.02mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
PH

NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ