- RS品番:
- 168-6849
- メーカー型番:
- STQ1HNK60R-AP
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
2000 - 8000 | ¥32.308 | ¥64,616.00 |
10000 - 18000 | ¥31.343 | ¥62,686.00 |
20000 - 48000 | ¥29.672 | ¥59,344.00 |
50000 - 98000 | ¥28.837 | ¥57,674.00 |
100000 + | ¥28.00 | ¥56,000.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 168-6849
- メーカー型番:
- STQ1HNK60R-AP
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
- COO(原産国):
- MY
詳細情報
NチャンネルMDmesh™ SuperMESH™、250 V → 650 V、STMicroelectronics
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 400 mA |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
パッケージタイプ | TO-92 |
シリーズ | MDmesh, SuperMESH |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 8.5 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 3.7V |
最低ゲートしきい値電圧 | 2.25V |
最大パワー消費 | 3 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
動作温度 Max | +150 °C |
長さ | 4.95mm |
トランジスタ素材 | Si |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
幅 | 3.94mm |
高さ | 4.95mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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