Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 100 A, 1.4 mΩ, 61 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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RS品番:
170-2297
メーカー型番:
BSC014N04LSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

96W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

61nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

幅

6.15mm

規格 / 承認

J-STD20 and JESD22

長さ

5.15mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン・ソース間電圧 40V、最大連続ドレイン電流 100A ― BSC014N04LSATMA1


このMOSFETは、表面実装電源用途向けに設計された高電流対応のNチャネルスイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、大きな連続ドレイン電流に対応し、産業用電子システムにおけるコンパクトな電力変換と高効率スイッチング作業向けに設計されています。

特長:


• 1.4mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 連続ドレイン電流100Aで、大電流用途に対応
• 40Vのドレイン・ソース間定格により、中電圧電力変換段に対応
• 標準ゲート電荷 61nC により、高速スイッチング性能に対応
• 最大96Wの消費電力により、高い熱負荷に対応
• 最大ゲート・ソース電圧20Vにより、堅牢なゲート駆動に対応

用途


• DC-DCコンバータの一次側および二次側回路に最適
• 産業機器の大電流電源ラインに最適
• 同期整流型バックコンバータと使用して、効率的なスイッチングを実現
• モーター駆動用ハーフブリッジモジュールに使用可能
• コンパクトな表面実装型電力回路に最適

どのようなパッケージと実装方式を採用していますか?


基板実装に適した表面実装用8ピンTDSONパッケージで提供されます。

広い温度範囲に対応できますか?


定格動作温度は-55°C~150°Cで、過酷な熱環境での使用が可能です。

設計者は、ゲート駆動時にどのような制約に注意する必要がありますか?


このデバイスはの最大ゲート・ソース間電圧は20Vであるため、この上限値を超えないようにする必要があります。

どのような電気的極性とチャネル特性を備えていますか?


エンハンスメント型Nチャネルデバイスで、導通させるには正のゲート駆動電圧が必要です。

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