Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 40 V, 205 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, BSC014N04LSTATMA1

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梱包形態
RS品番:
220-7350
メーカー型番:
BSC014N04LSTATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

最大連続ドレイン電流Id

205A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

OptiMOS 5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

115W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

61nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

幅

6.1 mm

高さ

1.2mm

長さ

5.35mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

SuperSO8 パッケージに収められたInfineon OptiMOS 5 パワー MOSFET は、最新の技術を採用し、パッケージの温度を改善しています。この新しい組み合わせにより、電力密度が高くなり、耐熱性が向上しています。低定格のデバイスに比べて、 175 ° C TJ_MAX 機能は、ジャンクション動作温度が高くなるほど出力が高くなるか、又はジャンクション動作温度が同じでも寿命が長くなります。さらに、安全動作領域（ SOA ）を 20% 向上させます。この新しいパッケージは、通信、モータドライブ、サーバーなどの用途に最適です。

低 RDS （ on ）

同期整流に最適化

SuperSO8パッケージで動作温度 175 ° C

長寿命

最高レベルの効率と電力密度

最高のシステム信頼性

耐熱性

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