Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 100 A, 5.6 mΩ, 58 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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RS品番:
170-2309
メーカー型番:
BSC040N10NS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

BSC040N10NS5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

58nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

860mV

最大許容損失Pd

139W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

6.35mm

長さ

5.49mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

Infineon BSC040N10NS5シリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流 100A、最大ドレイン・ソース間電圧 100V - BSC040N10NS5ATMA1


このMOSFETは、要求の厳しい電子システムでの表面実装型電力スイッチングに適した、高電流対応のNチャネル・エンハンスメント型トランジスタです。広い温度範囲で動作し、低い伝導損失と大きな電流処理が必要なコンパクトな基板レベルの電力変換回路向けに設計されています。このデバイスは、低背設計の鉛フリーパッケージで提供され、自動組立および熱管理に適しています。

特長:


• 連続ドレイン電流100Aで、高負荷用途に対応
• ドレイン-ソース間定格電圧 100V により、高電圧スイッチングをサポート
• 5.6mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 58nCの標準ゲート電荷により、スイッチングダイナミクスを制御可能
• 139Wの最大許容電力により、高い熱処理能力に対応
• ±20Vのゲート・ソース間電圧許容範囲により、十分なゲート駆動マージンを確保

用途


• 産業用システムの高出力DC-DCコンバータに最適
• 表面実装基板上のモーターインバータ用ハーフブリッジ回路に最適
• 大電流を必要とするバッテリ管理システムと併用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• 放熱性が重視されるサーバー用電源モジュールに便利

熱的な動作限界はどの程度ですか?


デバイスは、-55°C~150°Cの間で動作するように設定されており、低温始動から高温環境まで幅広く対応します。通常の電力損失を考慮すれば、大幅な定格低減を必要としません。

パッケージは、PCBの放熱設計にどのような影響を与えますか?


リードレスTDSON 8ピンパッケージと1.1mmの低背設計により、部品の高密度配置に対応するとともに、基板の銅箔やサーマルビアへの熱伝導を促進し、放熱性を向上させます。

安定したスイッチングにはどのようなゲート駆動が推奨されますか?


最大許容ゲート・ソース間電圧は20Vであるため、ゲートドライバはこの範囲内で使用し、所定のスイッチング時間を実現するため、ドライバ電流の設計では標準ゲート電荷58nCを考慮する必要があります。

本デバイスの導通効率はどの程度ですか?


5.6mΩの低オン抵抗と高い連続ドレイン電流能力により、導通時のI²R損失を低減し、大電流負荷時のシステム全体の効率を向上させます。

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