Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, BSC035N10NS5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
171-1985
メーカー型番:
BSC035N10NS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

BSC035N10NS5

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

70nC

最大許容損失Pd

156W

順方向電圧 Vf

0.82V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

5.49mm

幅

6.35 mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

Infineon BSC035N10NS5 は、同期整流に最適化された 100 V OptiMOS 5 パワー MOSFET で、高スイッチング周波数に最適です。

最高レベルのシステム効率

スイッチング損失及び導電損失を低減

並列の必要性を軽減

電力密度の向上

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