Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン
- RS品番:
- 171-1985
- メーカー型番:
- BSC035N10NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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単価： 購入単位は10個
￥462.20
(税抜)
￥508.42
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | ￥462.20 | ￥4,622.00 |
| 250 - 2390 | ￥448.90 | ￥4,489.00 |
| 2400 - 3190 | ￥334.90 | ￥3,349.00 |
| 3200 - 3990 | ￥288.60 | ￥2,886.00 |
| 4000 + | ￥279.10 | ￥2,791.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 171-1985
- メーカー型番:
- BSC035N10NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon BSC035N10NS5 は、同期整流に最適化された 100 V OptiMOS 5 パワー MOSFET で、高スイッチング周波数に最適です。
最高レベルのシステム効率
スイッチング損失及び導電損失を低減
並列の必要性を軽減
電力密度の向上
スイッチング損失及び導電損失を低減
並列の必要性を軽減
電力密度の向上
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 100 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V |
| シリーズ | OptiMOS™ 5 |
| パッケージタイプ | TDSON |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 3.5 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 3.8V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2.2V |
| 最大パワー消費 | 156 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | 20 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 6.35mm |
| 長さ | 5.49mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.1V |
| 高さ | 1.1mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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