Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, BSC098N10NS5ATMA1
- RS品番:
- 222-4622
- メーカー型番:
- BSC098N10NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 222-4622
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- BSC098N10NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| シリーズ | OptiMOS-TM5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 69W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 22nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.2mm | |
| 長さ | 5.35mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
シリーズ OptiMOS-TM5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 69W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.2mm | ||
長さ 5.35mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。
鉛未使用めっきリード; RoHS準拠
100%アバランシェテスト済みの優れた耐熱性
ハロゲン未使用、IEC61249-2-23準拠
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