Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 315 A, 1.50 mΩ, パッケージ：HSOF
- RS品番:
- 259-2647
- メーカー型番:
- IPT015N10NF2SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 259-2647
- メーカー型番:
- IPT015N10NF2SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 315A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | HSOF | |
| シリーズ | IPT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.50mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | +175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 315A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 HSOF | ||
シリーズ IPT | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.50mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max +175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IPTシリーズMOSFET、100Vドレイン-ソース電圧、315A連続ドレイン電流 - IPT015N10NF2SATMA1
このMOSFETは、堅牢なスイッチングと幅広い温度耐性が求められる表面実装用途向けに設計された高出力Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、低い導通損失を維持しながら大幅な連続電流処理が求められるシステム向けに設計されています。このデバイスは、高電流基板レベルの統合に適したヒートシンクHSOFパッケージで提供されます。
特長および利点：
• 1.50mΩ のRds(on)により、導通損失を低減
• 315Aの連続ドレイン電流により、高負荷に対応
• 100V Vdsにより、高電圧スイッチング作業を実現
• 1.2Vの順方向電圧により、導通効率を向上
• -55°C～+175°Cの動作範囲により、過酷な環境に対応
• 315Aの連続ドレイン電流により、高負荷に対応
• 100V Vdsにより、高電圧スイッチング作業を実現
• 1.2Vの順方向電圧により、導通効率を向上
• -55°C～+175°Cの動作範囲により、過酷な環境に対応
用途
• 大電流モータ駆動段に最適
• 電源ラックのDC-DCコンバータに最適
• 基板上の配電アセンブリと併用
• 産業用システムの高出力スイッチングに使用可能
• コンパクトなヒートシンク表面実装レイアウトに最適
• 電源ラックのDC-DCコンバータに最適
• 基板上の配電アセンブリと併用
• 産業用システムの高出力スイッチングに使用可能
• コンパクトなヒートシンク表面実装レイアウトに最適
放熱にはどのようなパッケージタイプが使用されていますか?
外部シンクへの熱伝達を強化するように設計されたHSOFパッケージで提供されます。
プリント基板組立にはどのような取り付け方法が推奨されますか?
このデバイスは表面実装用で、低インダクタンスボードレイアウトを実現します。
このデバイスは、どのようなチャンネル伝導方式を採用していますか?
エンハンスメントモードNチャンネル構成を採用し、制御されたスイッチングを実現します。
この製品は自動車標準化に適していますか?
自動車規格に適合することは指定されていませんが、RoHS要件に適合しています。