Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 204 A, 表面 パッケージHSOF, IPT015N10NF2SATMA1

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梱包形態
RS品番:
259-2647
メーカー型番:
IPT015N10NF2SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

204A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

IPT

パッケージ型式

HSOF

取付タイプ

表面

順方向電圧 Vf

1.2V

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon StrongIRFET 2パワーMOSFETは、SMPS、モータ駆動、バッテリ駆動、バッテリ管理、UPS、軽電気自動車などの幅広い用途に最適化されています。この新しいテクノロジーは、以前のStrongIRFETデバイスに比べて最大40 %のRDS(on)の改善と最大60 %のQgの低減を実現し、高い電力効率により全体的なシステムパフォーマンスを向上させます。定格電流の増加により、より高い電流伝送能力を実現し、複数のデバイスを並列化する必要がなくなります。これにより、BOMコストと基板の節約が低減されます。

ディストリビューションパートナーから幅広く利用可能

優れた価格 / 性能比

高 / 低スイッチング周波数に最適

業界標準のフットプリントスルーホールパッケージ

高定格電流

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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