Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 300 A, 2 mΩ, 169 nC, 9ピン, パッケージ：HSOF
- RS品番:
- 170-2320
- メーカー型番:
- IPT015N10N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 4000 - 18000 | ￥540.058 | ￥1,080,116 |
| 20000 - 28000 | ￥533.552 | ￥1,067,104 |
| 30000 - 38000 | ￥527.20 | ￥1,054,400 |
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- RS品番:
- 170-2320
- メーカー型番:
- IPT015N10N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 300A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | HSOF | |
| シリーズ | IPT015N10N5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 9 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 169nC | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 長さ | 10.1mm | |
| 幅 | 10.58mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 300A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 HSOF | ||
シリーズ IPT015N10N5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 9 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 169nC | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.4mm | ||
長さ 10.1mm | ||
幅 10.58mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IPT015N10N5シリーズMOSFET、最大ドレイン・ソース間電圧 100V、最大連続ドレイン電流 300A ― IPT015N10N5ATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい電子システムにおける電力変換およびモーター制御用途向けに設計された、高電流対応のNチャネルスイッチングデバイスです。広い温度範囲で動作し、堅牢な導通性能と高速スイッチングが求められる表面実装アセンブリ向けに設計されています。このコンポーネントは、大きなドレイン電流と高い電圧処理を必要とする用途向けのコンパクトな高出力トランジスタを求める設計者に適しています。
特長：
• ドレイン電圧 100Vにより、さらに高い電圧スイッチング用途に対応
• 300Aの連続ドレイン電流により、大電流負荷に対応
• 2 mΩのRDS(on)により、負荷時の導通損失を最小限に抑制
• 標準ゲート電荷169nCにより、スイッチング性能と損失のバランスを最適化
• 最大375Wの許容電力により、高電力用途に対応
• 20 Vのゲート耐圧により、柔軟なゲート駆動電圧に対応
• 300Aの連続ドレイン電流により、大電流負荷に対応
• 2 mΩのRDS(on)により、負荷時の導通損失を最小限に抑制
• 標準ゲート電荷169nCにより、スイッチング性能と損失のバランスを最適化
• 最大375Wの許容電力により、高電力用途に対応
• 20 Vのゲート耐圧により、柔軟なゲート駆動電圧に対応
用途
• 大電流モータ駆動段に最適
• 電源回路の同期整流に最適
• 産業用ドライブのインバータモジュールと併用
• 電源システムのDC-DCコンバータに使用可能
• 牽引・推進システム向けパワーエレクトロニクスに最適
• 電源回路の同期整流に最適
• 産業用ドライブのインバータモジュールと併用
• 電源システムのDC-DCコンバータに使用可能
• 牽引・推進システム向けパワーエレクトロニクスに最適
厳しい環境ではどのような熱範囲が想定されますか？
-55°C～175°Cで動作し、高い接合部温度に対応します。
プリント基板に統合するには、どの取付方式が必要ですか？
このデバイスは、HSoFパッケージのフットプリントを採用した表面実装型で、自動実装に対応します。
接続および基板レイアウト設計に使用できるピン数はいくつですか？
このパッケージは9ピン構成で、堅牢な電流経路とゲート・ドレイン・ソース接続に対応します。
スイッチング回路におけるチャネルタイプと動作モードはどのような仕様ですか？
このデバイスはエンハンスメント型で動作するNチャネルMOSFETで、適切なゲート駆動により、ローサイドまたはハイサイド構成に対応します。