1 東芝電池 MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 表面実装 20 V, 3-Pin エンハンスメント型, SSM3K37MFV,L3F(B パッケージSOT-723
- RS品番:
- 171-2404
- メーカー型番:
- SSM3K37MFV,L3F(B
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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- RS品番:
- 171-2404
- メーカー型番:
- SSM3K37MFV,L3F(B
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | SOT-723 | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10 V | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 1.2 mm | |
| 長さ | 0.8mm | |
| 高さ | 0.5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 SOT-723 | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10 V | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 1.2 mm | ||
長さ 0.8mm | ||
高さ 0.5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
- COO(原産国):
- TH
1.5 Vドライブ
低オン抵抗: Ron = 66 mΩ (最大) (@VGS = 1.5 V)
Ron = 43 mΩ (最大) (@VGS = 1.8 V)
Ron = 32 mΩ (最大) (@VGS = 2.5 V)
Ron = 28 mΩ (最大) (@VGS = 4.0 V)
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