型番

2 onsemi MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 84 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージDFN

RS品番:: 172-3310
メーカー型番:: NVMFD5C462NLT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

2 onsemi MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 84 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージDFN

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3000 - 13500	￥171.047	￥256,571
15000 - 21000	￥169.202	￥253,803
22500 - 28500	￥167.345	￥251,018
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RS品番:: 172-3310
メーカー型番:: NVMFD5C462NLT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	84A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	DFN
	シリーズ	NVMFD5C462NL
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	7.7mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	23nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	50W
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	0.86V
	動作温度 Max	175°C
	トランジスタ構成	デュアル
	高さ	1.05mm
	幅	5.1 mm
	長さ	6.1mm
	規格 / 承認	No
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 84A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 DFN
	シリーズ NVMFD5C462NL
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7.7mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 50W
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 0.86V
	動作温度 Max 175°C
	トランジスタ構成デュアル
	高さ 1.05mm
	幅 5.1 mm
	長さ 6.1mm
	規格 / 承認 No
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

省スペース(5 x 6 mm)

小型設計

低RDS(on)

導電損失を最小限に抑制

低QG、低静電容量

ドライバ損失を最小限に抑制

NVMFD5C446NLWF - ウェッタブルフランクオプション

光学検査を強化

PPAP対応

用途

ソレノイドドライバ

ローサイド / ハイサイドドライバ

車載用エンジンコントローラ

アンチロックブレーキシステム

2 onsemi MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 84 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージDFN

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