onsemi パワーMOSFET, Nチャンネル, デュアル, 80 V, 25 A, 31.5 mΩ, 10 nC, 8ピン, パッケージ：DFN
- RS品番:
- 195-2561
- メーカー型番:
- NVMFD6H852NLT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 195-2561
- メーカー型番:
- NVMFD6H852NLT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 25A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 31.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 3.2W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 5.1mm | |
| 長さ | 6.1mm | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 25A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 31.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 3.2W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 5.1mm | ||
長さ 6.1mm | ||
高さ 1.05mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
コンパクト設計のための小型フットプリント(5 x 6 mm)
低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制
低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化
NVMFD6H852NLWF - 光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプション
PPAP対応
鉛フリー
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