2 onsemi パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 74 A, 表面 80 V, 8-Pin エンハンスメント型, NVMFD6H840NLT1G パッケージDFN

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梱包形態
RS品番:
195-2669
メーカー型番:
NVMFD6H840NLT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

74A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

175°C

最大許容損失Pd

3.1W

順方向電圧 Vf

0.8V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

-55°C

高さ

1.05mm

幅

5.1 mm

長さ

6.1mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

3 x 3 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

省スペース(5 x 6 mm)

小型設計

低RDS(on)

導電損失を最小限に抑制

低QG、低静電容量

ドライバ損失を最小限に抑制

NVMFS5C410NLWF - ウェッタブルフランクオプション

光学検査を強化

PPAP対応

用途

逆バッテリ保護

スイッチング電源

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

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