Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 400 V, 10 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRF740APBF
- RS品番:
- 542-9399
- メーカー型番:
- IRF740APBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 542-9399
- メーカー型番:
- IRF740APBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 400V | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| シリーズ | IRF740A | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 550mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 4.7mm | |
| 長さ | 10.41mm | |
| 高さ | 9.01mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 400V | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
シリーズ IRF740A | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 550mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 4.7mm | ||
長さ 10.41mm | ||
高さ 9.01mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRF740AシリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧400 V、最大連続ドレイン電流10 A - IRF740APBF
このパワーMOSFETは、要求の厳しい産業およびオートメーション環境向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。高ドレインソース間電圧を処理し、スルーホール基板形式に取り付けると同時に、堅牢なスイッチング能力と適度な連続電流容量を必要とする回路に適しています。
特長：
• 400 Vの定格ドレインソース間電圧により、高電圧スイッチング機能を実現 • 10 Aの連続ドレイン電流により、持続的な電力供給をサポート • 550 mΩの低Rds(on)により、動作中の導通損失を低減 • 125 Wの消費電力により、アセンブリで高出力を処理可能 • 36 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現 • 最高動作温度150°Cで高温条件に耐える
用途
• 産業用インバータおよびコンバータパワーステージに最適 • オートメーションシステムのモーター駆動スイッチングに最適 • テスト機器の高電圧電源と併用 • スイッチモード電源プライマリスイッチに使用可能 • 高電圧リレー交換および保護回路に最適
信頼性の高い熱接触には、どのような取り付け方法が必要ですか?
TO-220ABスルーホールパッケージで提供され、背面取り付けタブを介してヒートシンクを確実に取り付けることができ、効果的な熱除去を実現します。
電圧エキスパンションを制御するためのゲートの許容差はどのくらいですか?
このゲートは、ゲートとソース間で最大30 Vの電圧に対応し、過電圧から保護しながら標準的なゲートドライブ電圧を実現します。
使用可能な周囲温度は？
-55 °Cから最大150 °Cのジャンクションリミットまで幅広い温度範囲で動作し、高温用途向けです。
このデバイスは、ハードスイッチングイベント中にどのように動作しますか?
指定された36 nCのゲート電荷とデバイス容量は、スイッチング損失とタイミングを定義し、ハードスイッチングトポロジのドライブ要件を計算するのに役立ちます。
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