Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 400 V, 10 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
178-0832
メーカー型番:
IRF740SPBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

10A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

400V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

IRF740S

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

550mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

最大許容損失Pd

125W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

2V

動作温度 Max

150°C

9.65mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

4.83mm

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

Vishay IRF740SシリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧400 V、最大連続ドレイン電流10 A - IRF740SPBF


このパワーMOSFETは、産業用電子システムの表面実装用途向けに設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。過酷な環境で大きな電圧と電流を処理できるスイッチングトランジスタとして機能し、コンパクトな基板実装電源スイッチングが必要な場所での使用に適しています。

特長:


• 400 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 10 Aの連続電流により、適度な電力負荷をサポート • 125 Wの消費電力により、持続的な熱処理を実現 • 550 mΩ Rds(on)により、低~中電力回路での導通損失を低減 • 63nC標準ゲート充電により、予測可能なドライブ要件を実現 • 高温環境に適した150°Cの最高動作温度

用途


• 産業用モーター駆動スイッチングステージに最適 • 高電圧電源コンバータおよびインバータに最適 • オートメーション機器の補助電源に使用 • ソリッドステートリレーおよびスイッチモジュールに使用可能 • TO-263取り付けが必要な表面実装アセンブリと併用

基板にはどのような取り付けスタイルが必要ですか?


TO-263表面実装パッケージで提供され、基板レベルのはんだ付けと基板銅領域への熱伝導用に設計された3ピンを備えています。

設計者はどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?


ゲート-ソース間電圧は20 Vを超えてはならないため、ゲート酸化ストレスやデバイスの潜在的な故障を防止します。

設計における熱管理にはどのように取り組む必要がありますか?


設計者は、基板上の十分な銅面積又はヒートシンクを使用して、指定された条件下で最大125 Wの電力を消散し、ジャンクション温度を150 °Cの制限以下に維持する必要があります。

動作中に耐えられる環境温度範囲は?


このデバイスは、-55 °Cから最大150 °Cまで動作する定格で、幅広い周囲温度範囲で使用できます。

スイッチングドライブのサイズに影響する特性は何ですか?


63 nCの標準ゲート充電は、必要なスイッチング速度を実現するためにゲートドライバに必要なドライブ電流とトランジション時間を決定します。

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