Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 400 V, 10 A, 550 mΩ, 63 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 178-0832
- メーカー型番:
- IRF740SPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 178-0832
- メーカー型番:
- IRF740SPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 400V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | IRF740S | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 550mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 63nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 9.65mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 400V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ IRF740S | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 550mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 10.67mm | ||
高さ 4.83mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 9.65mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRF740SシリーズパワーMOSFET、400Vドレインソース電圧、10A連続ドレイン電流 - IRF740SPBF
このパワーMOSFETは、表面実装アセンブリのスイッチングおよび電力変換用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い環境範囲で動作し、RoHS指令に準拠しながら、制御されたゲートドライブと堅牢な電力処理を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 400 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチングを実現
• 10 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 125Wの消費電力能力により、熱ヘッドルームを向上
• 550 mΩ Rds(on)により、伝導損失と制御のシンプルさをバランス
• 63 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 最大20Vのゲートソース定格により、ゲートドライブ設計を保護
• 10 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 125Wの消費電力能力により、熱ヘッドルームを向上
• 550 mΩ Rds(on)により、伝導損失と制御のシンプルさをバランス
• 63 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 最大20Vのゲートソース定格により、ゲートドライブ設計を保護
用途
• 産業機器のスイッチモード電源に最適
• 高電圧モータードライブステージおよびインバーターに最適
• 再生可能エネルギーコンバータの絶縁ゲートドライバーと併用
• 中程度の電流を処理するDC-DCコンバータに使用可能
• 密集型SMTボードの電源管理に最適
• 高電圧モータードライブステージおよびインバーターに最適
• 再生可能エネルギーコンバータの絶縁ゲートドライバーと併用
• 中程度の電流を処理するDC-DCコンバータに使用可能
• 密集型SMTボードの電源管理に最適
このデバイスは、動作中にどのような極端な温度に耐えられますか?
-55°C～150°Cで動作し、標準的な商業用および拡張産業用の範囲をカバーします。
パッケージは基板レベルの組立と熱性能にどのように影響しますか?
TO-263表面実装パッケージにより、プリント基板銅プレーンへのはんだ付け熱伝送を実現し、コンパクトなSMTレイアウトで高い放散をサポートします。
損傷を防止するために設計者は、どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?
ゲートソース電圧は20 Vを超えてはならないため、ゲート酸化ストレスや潜在的な故障を防止します。
このデバイスは、回路統合のためにどのくらいの外部接続を備えていますか?
ドレイン、ソース、ゲートの標準シングルチャンネルMOSFET接続に適合する3ピンを備えています。
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