Vishay パワーMOSFET, タイプPチャンネル -60 V, -6.7 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRF9Z14PBF
- RS品番:
- 178-0838
- メーカー型番:
- IRF9Z14PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 本(1本50個入り) 小計:*
¥7,354.00
(税抜)
¥8,089.50
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 700 は 2026年7月13日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ¥147.08 | ¥7,354 |
| 250 - 450 | ¥141.68 | ¥7,084 |
| 500 - 1200 | ¥134.12 | ¥6,706 |
| 1250 - 2450 | ¥130.28 | ¥6,514 |
| 2500 + | ¥126.46 | ¥6,323 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 178-0838
- メーカー型番:
- IRF9Z14PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -6.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -60V | |
| シリーズ | IRF9Z14 | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 500mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 43W | |
| 順方向電圧 Vf | -5.5V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.41mm | |
| 高さ | 9.01mm | |
| 幅 | 4.7mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id -6.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -60V | ||
シリーズ IRF9Z14 | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 500mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 43W | ||
順方向電圧 Vf -5.5V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.41mm | ||
高さ 9.01mm | ||
幅 4.7mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRF9Z14シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧: -60 V、最大連続ドレイン電流: -6.7 A - IRF9Z14PBF
このパワーMOSFETは、電子システムのスイッチングと制御用のPチャンネル強化デバイスです。スルーホールTO‐220ABパッケージで提供され、幅広い温度範囲で動作しながら中程度の電流や電圧に対応できるディスクリートトランジスタを必要とする用途に適しています。
特長:
• -60 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチングを実現
• -6.7 Aの連続ドレイン電流により、中電力負荷をサポート
• 500 mΩ Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 12 nC標準ゲート充電により、比較的高速なスイッチングを実現
• 43 Wの消費電力により、制御された環境での熱負荷を管理
• 最大20 Vのゲート‐ソース耐性により、ゲート‐ドライブ設計を簡素化
• -6.7 Aの連続ドレイン電流により、中電力負荷をサポート
• 500 mΩ Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 12 nC標準ゲート充電により、比較的高速なスイッチングを実現
• 43 Wの消費電力により、制御された環境での熱負荷を管理
• 最大20 Vのゲート‐ソース耐性により、ゲート‐ドライブ設計を簡素化
用途
• オートメーションシステムのDCモータハイサイドスイッチングに最適
• 産業用電子モジュールの電力制御に最適
• 機械式ドライブの熱管理アセンブリと併用
• 配電パネルの負荷スイッチングに使用可能
• 産業用電子モジュールの電力制御に最適
• 機械式ドライブの熱管理アセンブリと併用
• 配電パネルの負荷スイッチングに使用可能
このデバイスは、動作中にどのような極端な温度に耐えられますか?
定格動作温度は-55°C~175°Cで、幅広い温度変化のある環境での使用が可能です。
このパッケージは、組み立てにどのくらいの電気接続を提供しますか?
スルーホールTO‐220ABフォーマットには、プリント基板又はシャーシ取り付けを簡単に行うための3つのピンがあります。
スイッチングにはどのようなゲートドライブを注意すべきですか?
ゲートソースの最大電圧は20 Vで、標準的なゲート充電は12 nCであるため、ドライブ回路はVgsを制限し、目的のスイッチング速度でゲートに充電するのに十分な電流を供給する必要があります。
この部品には、環境又は規制材料規格が記載されていますか?
このデバイスは、電子部品における制限物質に関するRoHS要件に適合しています。
関連ページ
- Vishay パワーMOSFET 6.7 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRF9Z10PBF
- 1 Vishay パワーMOSFET シングル 18 A 50 V, IRF9Z30PBF パッケージJEDEC TO-220AB
- 1 Vishay パワーMOSFET シングル 11 A 60 V, IRF9Z24PBF パッケージJEDEC TO-220AB
- Infineon パワーMOSFET 202 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRF1404PBF
- Vishay パワーMOSFET 8 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRF840PBF
- Vishay パワーMOSFET 10 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRF740PBF
- Vishay パワーMOSFET 2.5 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRF820PBF
- Vishay パワーMOSFET 1.2 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRF710PBF
