Vishay パワーMOSFET, タイプPチャンネル, -60 V, -6.7 A, 500 mΩ, 12 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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RS品番:
178-0838
メーカー型番:
IRF9Z14PBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

-6.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-60V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

IRF9Z14

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

500mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

43W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

順方向電圧 Vf

-5.5V

動作温度 Max

175°C

高さ

9.01mm

長さ

10.41mm

幅

4.7mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay IRF9Z14シリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧60V、消費電力43W - IRF9Z14PBF


このパワーMOSFETは、中電力電子機器のスイッチングおよび増幅作業向けに設計されたPチャンネルデバイスです。負ドレインソースおよびゲートソースの極性で動作し、堅牢な取り付けと熱インターフェースを必要とする基板に適したTO-220ABスルーホールパッケージで提供されます。このコンポーネントはRoHSに準拠し、限られた熱環境で定義されたゲート制御と信頼性の高い電流処理を必要とする用途向けに設計されています。

特長:


• -60V ドレイン・ソース電圧に対応し、高電圧 P チャンネル設計を実現
• 最大-6.7Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 最大許容電力 43W により、継続的な熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷12 nCにより、スイッチングエネルギーと過渡損失を低減
• 低RDS(on) 500 mΩにより、動作条件下での導通損失を最小限に抑制
• 高温システム向けの許容動作範囲:-55°C~175°C

用途


• オーディオアンプのパワーステージスイッチング作業に最適
• 電源のディスクリートハイサイドスイッチングに最適
• 確実なヒートシンク取り付けが必要なスルーホールレイアウトで使用
• Pチャンネル構成を必要とするモータドライバ回路に使用可能
• 60V Pチャンネルデバイスを必要とする設計の交換に最適

基板統合用のパッケージと取り付けスタイルはどのようなものですか?


このデバイスは、スルーホール取り付け用の3ピンを備えたTO-220ABパッケージで提供され、簡単なはんだ接続と機械的安定性を実現します。

ゲート電圧制限は制御回路にどのように影響しますか?


最大ゲートソース定格電圧は20 Vで、損傷を防止するためにドライバ回路は、ゲートスイングをこの制限内に保つ必要があります。

プリント基板設計時にはどのような熱要件を考慮すべきですか?


最大消費電力43Wを備えた設計者は、ヒートシンクまたは十分な銅面積を確保し、ジャンクション温度を維持するための熱通路を検討する必要があります。

チャンネルタイプとモードはスイッチング動作にどのように影響しますか?


Pチャンネル強化デバイスとして、オフのソースに比べて正方向のゲート電圧が必要で、オンのソースに比べて負方向のゲート電圧が必要で、ハイサイド配置に適しています。

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