Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 200 V, 5.2 A, 0.8 Ω, 14 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 543-0052
- Distrelec 品番:
- 171-15-009
- メーカー型番:
- IRF620PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1個小計：*
￥334
(税抜)
￥367
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 7 は国内在庫あり
- 304 は海外在庫あり
- 918 は 2026年10月13日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 1 | ￥334 |
| 2 - 19 | ￥302 |
| 20 - 29 | ￥283 |
| 30 - 39 | ￥266 |
| 40 + | ￥253 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 543-0052
- Distrelec 品番:
- 171-15-009
- メーカー型番:
- IRF620PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| シリーズ | IRF620 | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.8Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 50W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.8V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 9.01mm | |
| 長さ | 10.41mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS 2002/95/EC | |
| 幅 | 4.7mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
シリーズ IRF620 | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.8Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 50W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.8V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 9.01mm | ||
長さ 10.41mm | ||
規格 / 承認 RoHS 2002/95/EC | ||
幅 4.7mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRF620シリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧200 V、消費電力50 W - IRF620PBF
このパワーMOSFETは、スルーホールパワーエレクトロニクス向けの高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢なドレイン・ソース間電圧機能が必要なスイッチングおよび増幅作業に適しています。このコンポーネントは、従来のスルーホールパッケージで提供されており、ミックステクノロジーアセンブリでの取り付けが容易です。
特長：
• 200 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチング用途を実現
• 0.8Ωのオン抵抗により、低電流回路での導通損失を低減
• 5.2Aの連続ドレイン電流により、中程度の電力負荷に対応
• 50Wの消費電力容量により、持続的な熱ストレス対応を実現
• 14nC標準ゲート充電により、Vgs20Vで効率的なゲート駆動を実現
• Nチャンネル拡張モードにより、一般的なスイッチングトポロジでの使用を簡素化
• 0.8Ωのオン抵抗により、低電流回路での導通損失を低減
• 5.2Aの連続ドレイン電流により、中程度の電力負荷に対応
• 50Wの消費電力容量により、持続的な熱ストレス対応を実現
• 14nC標準ゲート充電により、Vgs20Vで効率的なゲート駆動を実現
• Nチャンネル拡張モードにより、一般的なスイッチングトポロジでの使用を簡素化
用途
• 高電圧レールを扱う電源に最適
• 小型産業用ドライブのモーター制御に最適
• 高電圧トランジスタを必要とするオーディオアンプと併用
• ベンチ機器のDC-DCコンバータに使用可能
• 趣味やプロトタイプのスルーホールアセンブリに最適
• 小型産業用ドライブのモーター制御に最適
• 高電圧トランジスタを必要とするオーディオアンプと併用
• ベンチ機器のDC-DCコンバータに使用可能
• 趣味やプロトタイプのスルーホールアセンブリに最適
信頼性の高いスイッチングを実現するためには、どのようなゲート電圧を適用すべきですか?
このデバイスは、ゲート・ソース間に最大20 Vの電圧を印加できます
この最大値以下の適切なゲートドライブ電圧を使用して、効果的に切り替えることができます。
熱性能は取り付けの選択にどのように影響しますか?
最大消散電力50 Wの場合、連続動作中にジャンクション温度を安全な範囲内に維持するために、ヒートシンクまたは十分な基板銅面積を推奨します。
予想されるスイッチング特性は何ですか?
指定されたゲートドライブで14nCの標準ゲート電荷は、ゲートドライブの適度なエネルギー要件を示し、スイッチング速度とドライバ選択に影響します。
どのような過酷な環境に耐えられますか?
-55°C～150°Cまでの動作に対応し、幅広い周囲環境や高温環境での使用が可能です。
関連ページ
- Vishay パワーMOSFET 200 V 0.8 Ω 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 400 V 550 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Infineon パワーMOSFET 40 V 0.004 Ω 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 500 V 3 Ω 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 500 V 850 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET シングル 5.2 A 16 nC, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 400 V 3.6 Ω 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 200 V 0.4 Ω 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB