Vishay Siliconix MOSFET, Nチャンネル, 60 A, 表面実装, 8 ピン, SIRC06DP-T1-GE3

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RS品番:
178-3691
メーカー型番:
SIRC06DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

60 A

最大ドレイン-ソース間電圧

30 V

シリーズ

TrenchFET

パッケージタイプ

PowerPAK SO-8

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

4 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

1V

最低ゲートしきい値電圧

2.1V

最大パワー消費

50 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-16 V、+20 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

38.5 nC @ 10 V

トランジスタ素材

Si

1チップ当たりのエレメント数

2

長さ

5.99mm

幅

5mm

動作温度 Max

+150 °C

順方向ダイオード電圧

0.7V

動作温度 Min

-55 °C

高さ

1.07mm

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
CN
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
SkyFET® (モノリシックショットキーダイオード付き)

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