Vishay Siliconix MOSFET, Nチャンネル, 150 V, 24.5 A, 0.0395 Ω, 14 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8L

RS品番:: 178-3721
メーカー型番:: SQJ872EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix MOSFET, Nチャンネル, 150 V, 24.5 A, 0.0395 Ω, 14 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8L

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RS品番:: 178-3721
メーカー型番:: SQJ872EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay Siliconix
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	24.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	150V
	パッケージ型式	SO-8L
	シリーズ	SQJ872EP
	取付タイプ	PCBマウント
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.0395Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	55W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	14nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	175°C
	高さ	1.07mm
	長さ	5.99mm
	幅	5mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay Siliconix
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 24.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V
	パッケージ型式 SO-8L
	シリーズ SQJ872EP
	取付タイプ PCBマウント
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0395Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 55W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 175°C
	高さ 1.07mm
	長さ 5.99mm
	幅 5mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:: CN

Vishay SQJ872EPシリーズMOSFET、150Vドレインソース電圧、24.5A連続ドレイン電流 - SQJ872EP-T1_GE3

このMOSFETは、過酷な環境での高電圧、高電流用途向けに設計された電源スイッチングデバイスです。スイッチングおよび電力変換用のNチャンネル強化トランジスタとして機能します。このデバイスは、小型パッケージのプリント基板実装に適しており、業界の環境基準に適合するように製造されています。

特長：

• 0.0395Ωの低オン抵抗により、導通損失を低減
• 高電圧容量150Vにより、堅牢なスイッチングヘッドルームを実現
• 24.5Aの連続定格電流により、大きな負荷電流をサポート
• ゲート充電14nCにより、効率的なスイッチング制御を実現
• 消費電力 55W により、持続的な熱負荷処理が可能
• 幅広いゲート許容差±20Vにより、ゲートドライブ設計に柔軟性を発揮

用途

• AEC‐Q101準拠を必要とする車載用電力段階に最適
• 産業用モーター駆動スイッチアレイに最適
• 高電圧システムのDC-DCコンバータと併用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• インバータおよびUPSフロントエンドスイッチング段階に便利

過酷な設置環境では、どのような温度範囲に耐えられますか?

-55°C～175°Cの幅広い温度範囲で動作し、産業用および自動車用の極端な温度条件に対応します。

基板組立には、どのようなパッケージおよび取り付け方法を採用していますか?

このデバイスは、コンパクトなアセンブリへの統合を簡素化するため、プリント基板実装用に設計されたSO‐8Lパッケージで提供されます。

順方向電圧はシステム設計にどのような影響を与えますか?

指定された条件下での順方向伝導降下は1.2 Vで、電力損失計算や熱管理評価に含まれる必要があります。

このデバイスは、規制された製造および環境要件に適していますか?

RoHS指令に適合し、コンポーネント材料における指定された有害物質の制限を示します。