Vishay Siliconix MOSFET, タイプPチャンネル 200 V, 9.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SQJ431AEP-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
178-3873
メーカー型番:
SQJ431AEP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

760mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

68W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

55nC

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

5.99mm

高さ

1.07mm

幅

5 mm

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
CN
TrenchFET®パワーMOSFET

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