Vishay Siliconix MOSFET, タイプPチャンネル 200 V, 9.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SQJ431AEP-T1_GE3
- RS品番:
- 178-3873
- メーカー型番:
- SQJ431AEP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
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- RS品番:
- 178-3873
- メーカー型番:
- SQJ431AEP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay Siliconix | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 760mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 68W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 55nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 1.07mm | |
| 長さ | 5.99mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay Siliconix | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 9.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 760mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
最大許容損失Pd 68W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 55nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 1.07mm | ||
長さ 5.99mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
RoHSステータス: 対象外
- COO（原産国）:
- CN
TrenchFET®パワーMOSFET
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