2 Vishay Siliconix パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 30 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerPAIR 3 x 3
- RS品番:
- 178-3944P
- メーカー型番:
- SiZ350DT-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
ボリュームディスカウント対象商品
150個小計 (リールカット 前後にリーダーとトレイラー付きリリール（但し、在庫が分かれている場合はリリール対応不可）)*
￥22,665.00
(税抜)
￥24,931.50
(税込)
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個 | 単価 |
|---|---|
| 150 - 1390 | ￥151.10 |
| 1400 - 1890 | ￥133.90 |
| 1900 - 2390 | ￥115.50 |
| 2400 + | ￥98.40 |
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- RS品番:
- 178-3944P
- メーカー型番:
- SiZ350DT-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay Siliconix | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | PowerPAIR 3 x 3 | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16 V | |
| 最大許容損失Pd | 16.7W | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 幅 | 3 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay Siliconix | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 PowerPAIR 3 x 3 | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min 150°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12.1nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16 V | ||
最大許容損失Pd 16.7W | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max -55°C | ||
高さ 0.75mm | ||
幅 3 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
ハイサイド / ローサイドMOSFETで、50 %デューティサイクル用に最適化された組み合わせを構成
最適化されたRDS - QgとRDS - Qgd FOMにより、高周波スイッチングの効率を向上
用途
同期式バック
DC-DC変換
ハーフブリッジ
POL